Lugar : Auditorios: Ing. René Mario Montante / Dr. Raúl G. Quintero Flores
Fecha : 10/04/1991 17:00
Expositor : SEBIN DEVASIA
Asesor : Dr. Bindu Krishnan
Co-Asesor :
Moderador :
Título de la conferencia : Rocíe películas finas de perovskita de haluro de Cs-Bi pirolizadas mediante división catiónica
Resumen : Seguido por los excelentes desarrollos en el campo de la optoelectrónica, especialmente la fotovoltaica, los materiales de perovskita se han convertido en un material interesante para la ingeniería. Sin embargo, la creciente demanda para abordar las limitaciones de los materiales convencionales de perovskita, principalmente, la presencia del plomo tóxico, la inestabilidad en condiciones ambientales, los efectos histéricos debido a las moléculas orgánicas y la ausencia de técnicas de deposición de grandes áreas, han llevado a la exploración de un número de materiales de perovskita sin plomo totalmente inorgánicos híbridos (AILFP). En esta perspectiva, la perovskita sin plomo totalmente inorgánica CsBiX (X = I/Cl/Br) ha ganado consideraciones debido a la ausencia de Pb y lo más importante, la estabilidad química superior en comparación con sus análogos de Pb. Además, sus estructuras dobles de perovskita con sustituciones de cationes y aniones exhiben mejores propiedades optoelectrónicas. Aquí, la técnica de pirólisis por pulverización química para la deposición de área grande se utilizará para fabricar películas delgadas CsBiX optimizando varias condiciones de deposición. Además, las películas delgadas de perovskita doble CsBiAgX y CsBiSX también se fabricarán en condiciones optimizadas. Posteriormente, las investigaciones sobre las propiedades fotofísicas utilizando XRD, espectroscopía Raman, espectroscopía UV-Vis-NIR, SEM, XPS, AFM y mediciones de fotorrespuesta. Además, las simulaciones teóricas que emplean el software VASP pueden contribuir a la comprensión a nivel atómico de las conexiones estructura-optoelectrónicas en estos materiales híbridos. Se espera que los resultados contribuyan a una mejor comprensión de los mecanismos de transporte y una mayor eficiencia del dispositivo con una mayor estabilidad en el campo de la investigación de perovskita totalmente inorgánica.
Imagen :
Title of the conference : Spray pyrolyzed Cs-Bi halide Perovskite thin films via cation splitting
Summary : Followed by the excellent developments in the field of optoelectronics, especially photovoltaics, the perovskite materials have become an interesting material for engineering. However, the growing demand to address the limitations of conventional perovskite materials, primarily, presence of the toxic lead, instability in ambient conditions, hysteretic effects due to the organic molecules and absence of large area deposition techniques, have led to the exploration of a number of hybrid all-inorganic lead-free perovskite materials (AILFPs). In this perspective, the all-inorganic lead-free perovskite CsBiX(X=I/Cl/Br) have gained considerations due to the absence of Pb and most importantly, the superior chemical stability as compared to their Pb analogues. Furthermore, their double perovskite structures with cation and anion substitutions exhibit better optoelectronic properties. Here, the chemical spray pyrolysis technique for large area deposition will be used to fabricate CsBiX thin films by optimizing various deposition conditions. In addition, CsBiAgX and CsBiSX double perovskite thin films will also be fabricated under optimized conditions. Subsequently, investigations on the photophysical properties using XRD, Raman spectroscopy, UV-Vis-NIR spectroscopy, SEM, XPS, AFM and photoresponse measurements. Moreover, theoretical simulations employing VASP software can contribute to the atomic level understanding of structure-optoelectronic connections in these hybrid materials. The results are expected to contribute to the better understanding of transport mechanisms and enhanced device efficiencies with improved stability in the field of all-inorganic perovskite research.